（原标题：靠着HBM挣大钱的设备巨头）
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近日，半导体设备大厂DISCO公布的数据令人瞩目。2025财年第一财季（2025年4-6月），其非合并出货金额预计高达930亿日元，同比增长8.5%，实现近6个季度以来的第五度增长，单季出货金额更是超越2024年度第三季度的908亿日元，创下历史新高。
DISCO在公告中明确指出，精密加工设备出货增长，主要源于生成式AI需求的持续高涨，带动了制造设备销售的增加。
在这一过程中，HBM（高带宽存储器）作为支撑生成式AI发展的关键技术，扮演了关键角色，HBM凭借其高带宽、低功耗的特性，成为满足生成式AI对海量数据快速存取需求的核心组件，其产能扩充与技术迭代对半导体制造环节提出了更高要求。HBM的兴起不仅助力英伟达、AMD 等AI芯片企业实现产品性能的飞跃，推动SK海力士、美光、三星等存储巨头的业绩攀升，如今也在显著拉动半导体设备巨头的营收增速。
DISCO作为在晶圆减薄、切割和研磨市场占据重要地位的设备大厂，此次出货额提升便是有力证明，凸显了生成式AI与HBM需求在半导体产业链中的强大带动作用。
HBM的强劲需求并非仅让DISCO一家半导体设备大厂受益，在其掀起的产业浪潮中，众多半导体后道设备厂商都凭借这一驱动力实现了业绩的显著提升，呈现出较大市场潜力。
靠HBM挣大发的设备巨头
DISCO：HBM推动下强势增长
2023年，受先进封装需求强劲的推动，日本设备制造商Disco凭借其在晶圆减薄、切割和研磨技术方面的优势，以20%的市场份额领先。
上面刚介绍了DISCO 2025财年第一财季创纪录的出货金额。近日其业绩预测再次上调，2025财年第一财季合并营收自此前（4月）预估的750亿日元(年减9%)上修至899.14亿日元(年增9%)，合并营益自238亿日元(将年减29%)上修至344.8亿日元(将年增3%)、合并纯益也自原先预估的167亿日元(将年减30%)上修至237.67亿日元(将年增0.2%)，纯益将创下历史同期历史新高纪录。
DISCO修订后的业务预测
由于DISCO的营收状况和客户设备投资意愿之间的直接连动性低，通过会在产品完成验收后才将卖出的产品列入营收计算，因此营收易受验收情况波动的影响。因而要观察客户投资意愿参考公司的出货额动向相对比较准确。
但无论从那个数据来看，在HBM市场带动下，DISCO业绩都将迎来强势增长。
从其具体业务来看，DISCO长期以来致力于提供最前沿的精密加工设备，广泛应用于晶圆切割、研磨、抛光和键合等环节。通过不断的技术创新，DISCO在全球半导体制造领域保持了领导地位，并为推动人工智能和HBM的进步提供了强有力的技术支持。
近年来，随着AI和存储技术的飞速发展，半导体制造商面临着越来越复杂的技术挑战，传统的二维工艺正在逐渐被三维封装技术所取代。通过三维封装，芯片制造商能够在有限的空间内提高计算和存储能力，以满足AI对更高性能和更低功耗的需求。DISCO凭借其先进的DBG（切割+研磨）技术和SDBG技术，成功解决了在裸片制造过程中高精度和高效能的要求，实现了HBM等芯片的批量生产。
在HBM技术中，TSV（硅通孔）工艺是核心，通过三维堆叠芯片来提升连接效率。DISCO为TSV提供了全面的技术支持，包括晶圆切割、研磨和抛光等关键工艺，确保芯片在堆叠过程中能够保持高精度和高效性。
在GMIF2024创新峰会上，DISCO展示了面对半导体行业技术挑战时所提供的创新解决方案。通过高精度的边缘修整、化学清洗、低损伤研磨、翘曲控制等技术，DISCO不仅提升了产品的良率和一致性，也大幅提高了生产效率。例如，在薄硅片处理过程中，DISCO开发的低损伤隐形切割技术，有效解决了低介电常数材料在加工中的难题。此外，DISCO的翘曲控制技术能够应对高精度晶圆的生产需求，帮助客户在大规模生产中保持一致的加工质量。
随着芯片集成密度的不断提升，混合键合技术成为未来封装工艺的关键。对此，DISCO的W2W（晶圆对晶圆）和D2W（裸片对裸片）键合技术，通过无凸块互连实现更高密度的集成和更低的能耗。这些技术特别适用于HBM和其他高性能封装的生产，能够大幅提升芯片的整体性能。
DISCO通过在极薄化处理、精密清洁和切割领域的技术突破，确保混合键合在先进封装工艺中顺利实施。这不仅推动了芯片性能的提升，也为未来的高密度芯片集成奠定了技术基础。
能看到，DISCO的全流程支持涵盖了从前端晶圆处理到后端封装的多个环节，确保客户能够在高精度和高效能的生产中保持竞争优势。例如，DISCO的研磨和抛光技术解决了晶圆翘曲和颗粒污染等难题，为晶圆生产提供了全方位的技术保障。同时，DISCO的划片技术为超薄晶圆的加工提供了低损耗、高精度的解决方案。
在面对封装工艺的复杂挑战时，DISCO还提供了针对性的解决方案，如凸块模具的成型和研磨、TSV的钝化等，为客户的封装技术开发提供了坚实的基础，也推动了半导体产业向更高精度、更高效能的方向发展。
基于DISCO在先进封装和HBM等领域的深耕，其业绩持续实现突破。
在这样的市场环境下，DISCO精密加工设备的出货量保持稳定，重点放在高附加值产品上，而精密加工工具(消耗品)的出货量也因客户设施高运转率而保持在高水平。因此，DISCO年度出货量和年度销售额连续达到历史新高。
DISCO预计将在7月17日公布2025财年第一季财报，上季DISCO非合并营收较去年同期增长10.1%至754亿日元。届时也将公布第二季度(2025年7-9月)财测预估。
BESI：以混合键合技术卡位HBM4
在半导体行业蓬勃发展的当下，HBM正引领着一场技术革新。随着三星电子、SK海力士等存储巨头对下一代HBM内存技术的布局推进，混合键合技术崭露头角，成为实现HBM性能飞跃的关键支撑。
据悉，三星电子预计最早将于明年的 HBM4 内存中采用混合键合，而 SK海力士可能会在稍晚的HBM4E 中导入，美光和其它企业则计划考虑导入有凸块键合的迭代版本：无助焊剂键合。
混合键合技术优势显著，它摒弃传统键合工艺中在DRAM内存层间添加凸块的步骤，通过直接铜对铜连接，极大提高信号传输速率，满足AI计算对高带宽的迫切需求，同时降低DRAM层间距，缩减了HBM模块整体高度，能够提升芯片集成度与性能。
在这场技术变革中，总部位于荷兰的设备公司Besi凭借在混合键合设备领域的深厚积淀，成为行业的领军者。
Besi主营业务是Die attach，也就是固晶机，占据市场主导份额，但该设备主要是用在传统封装领域，因此Besi在过去几年的业绩并不算太好。而如今随着AI景气度的提升，Besi迎来新的发展契机。
今年4月，Besi首席执行官Richard Blickman表示，公司收到两家领先存储芯片厂商针对HBM4应用的混合键合订单，以及一家亚洲领先晶圆代工厂关于逻辑芯片的追加订单。当季订单量达1.319亿欧元，较上季度增长8.2%，彰显出强劲的市场需求。
KBC证券分析师在一份报告中称，Besi的新订单“非常积极”，即使短期内可能有波动，也凸显其长期增长潜力。
Besi在财报中也指出，尽管主流和中国封装设备市场面临阻力，但公司受益于先进封装产品组合的强劲增长，尤其在混合键合、光子学和其他AI应用领域。自2021年以来，其混合键合订单总额超100个系统，凸显该技术对3D AI相关组装应用的重要性。
Besi的2025年第一季度报告证实了与HBM4相关的混合键合机订单，标志着从逻辑到内存应用的转变。
实际上，混合键合已成为全球半导体设备厂重点布局方向，包括AMAT（应用材料）、ASMPT、Shibaura、TEL、SUSS等纷纷入局，国内大陆公司包括拓荆科技、华卓精科等。
值得关注的是，应用材料公司在2025年4月收购Besi 9%股份，成为其最大股东，积极布局混合键合。双方自2020年合作开发“全集成混合键合设备”，结合应用材料的前端晶圆处理技术与Besi的后端高精度封装能力，共建“卓越中心”加速技术商用。
此次股权合作被视为双方技术协同的深化：
技术互补性：应用材料公司贡献其在晶圆加工、薄膜沉积及材料工程领域的核心能力，而Besi则提供高精度芯片贴装与组装设备技术。
量产突破：双方联合开发的混合键合系统已进入技术验证阶段，目标在未来2-3年内实现大批量生产，满足数据中心、人工智能及自动驾驶等高算力应用场景的需求。
应用材料公司副总裁兼异构集成与封装事业部总经理Terry Lee表示，此次投资是战略性长期投资，彰显了对混合键合技术的重视，这一技术对于先进逻辑芯片和存储芯片至关重要。Besi首席执行官Richard Blickman强调，应用材料的入股为混合键合技术注入强大动力，双方深度整合将推动3D封装技术发展。
随着先进制程逼近物理极限，芯片制造商正转向异构集成与3D封装技术以提升性能。混合键合凭借其高密度互连与低功耗优势，被视为替代传统微凸点技术的关键方案。据市场研究机构预测，到2028年，混合键合市场规模预计将突破50亿美元，年复合增长率达35%。
在此趋势下，Besi凭借其领先的技术和市场地位，有望在这波HBM浪潮中充分受益，迎来业绩的显著提升。其在混合键合技术和HBM领域的持续布局与创新，将助力公司在半导体设备市场竞争中抢占先机，推动行业迈向新的发展阶段。
Besi的2025年第一季度业绩也证明了公司在AI/HBM领域的成效。据悉，Besi2025年第一季度营收为1.441 亿欧元，环比下降6.1%，主要原因是高端移动应用出货量下降；同比下降1.5%，主要原因是移动和汽车应用出货量下降。不过，混合键合及其他AI相关计算应用的强劲增长，有效抵消了部分业绩压力，成为重要支撑。
订单层面更显积极信号：该季度订单额达1.319亿欧元，环比增长8.2%，主要得益于亚洲客户在人工智能相关数据中心应用领域的订单增加；同比亦增长3.3%，核心驱动力来自混合键合及其他先进计算应用的订单贡献。
业绩与订单的分化趋势，在公司战略规划中得到进一步印证。今年6月的2025年投资者日上，Besi上调了长期财务目标。公司总裁兼首席执行官Richard W. Blickman解释，3月与主要客户及利益相关者的战略规划审查显示，到2030年人工智能技术将在数据中心、边缘计算及消费应用领域实现更广泛部署。同时，随着数据量激增与摩尔定律放缓，主流终端用户市场将加速采用基于2.5D和3D芯片的晶圆级组装结构，这将直接推动Besi在逻辑与内存应用领域的先进封装解决方案需求增长。
基于此，Besi提高了长期收入预测，其中亚微米芯片贴装系统及AI相关主流芯片贴装系统的业绩预期占比显著，成为支撑收入、毛利率及营业利润率目标上调的核心板块。
TCB设备厂商，狂揽HBM红利
受益于AI大模型、高性能计算和数据中心需求的爆发式增长，HBM作为下一代内存技术已从“技术先锋”走向“市场核心”，市场规模正在加速放量中。
与此同时，HBM制造对后段工艺设备提出了极高要求，尤其是芯片堆叠环节中的热压键合（TCB）技术，其精度和良率直接决定HBM芯片的封装质量、产能与成本。可以说，TCB设备是决定HBM“能量上限”的核心环节。
根据摩根士丹利与韩媒ETNews预测，全球用于HBM封装的TCB设备市场将从2024年的约4.6亿美元，快速增长至2027年的15亿美元以上，年均复合增长率超50%。
目前，该市场已形成“多强争霸”的局面：
韩美半导体（Hanmi Semiconductor）：长期为SK海力士供货，2024年营业利润同比增长639%，并获Micron大单，预计将交付超过50台设备，单价达30亿韩元；
韩华SemiTech：韩华集团旗下设备厂商，2024年向SK供货12台TCB设备，总金额约4200亿韩元，技术力不断提升；
ASMPT（新加坡）：其设备已进入SK的HBM3E试产线，尤其在NCF路径上具备高稳定性和较快节拍效率；
K&S（库力索法）：也来自新加坡，积极开发无助焊剂键合方案，并与美光展开合作；
Shinkawa（日本新川）：TCB设备先驱之一，曾为三星主要供货商，现受制于本土半导体设备投资放缓，份额被韩企和新加坡企业蚕食；
SEMES（三星旗下设备厂）：专为三星内供，近年来替代Shinkawa设备成功自研新一代TCB机，可支持高层堆叠HBM4。
韩美半导体：从SK海力士到美光的客户扩张
韩美半导体在HBM TCB键合机市场上拥有最高的市场占有率。
韩媒指出，自 2017 年以来，韩美半导体一直与 SK 海力士合作开发用于 HBM 制造的 TC 键合机，随着SK海力士事实上成为英伟达AI芯片HBM的独家供应商，韩美半导体也巩固了其在HBM TC键合机市场的地位，其2024年销售额达5589亿韩元，营业利润达2554亿韩元，创下成立以来最佳业绩，销售额较上年增长252%，营业利润增长639%。
这一业绩被认为对向全球半导体制造商供应用于HBM生产的TC键合机产生了积极影响，以响应全球对AI半导体的需求增长。
除了巩固与SK的合作，韩美半导体也在致力于进一步增强其全球市场主导地位，开始将供应线扩大到 SK海力士以外的公司。2023年，韩美半导体成功将美光纳入客户名单，替代了原本使用日本新川（Shinkawa）设备的供应链。
此外，韩美半导体在2024年4月从美光获得了约50台TCB键合机的订单。这是继2023年向美光供应数十台TCB键合机之后再次获得的大规模追加订单。据悉，美光为避免其产能信息外泄，将此次合同金额分拆为无需公开披露的小额订单分别下单，且供应给美光的TCB键合机价格比SK海力士购买的同类设备高出30%~40%。
价格差异源于两家公司在技术路径上的不同。美光采用的TC-NCF工艺相比SK海力士所采用的MR-MUF工艺有所不同，其设备头部结构更复杂，因此单台设备的价格也更高。
此外，韩美与三星之间的潜在合作似乎最近又被提上日程。尽管韩美与三星的关系在 2011 年涉及三星子公司 SEMES 的专利纠纷后恶化，但目前所有遗留问题都已得到解决。据 DealSite 报道，三星目前正在重新设计 HBM3E 以解决产量问题，并正在考虑将与Hanmi 合作作为其关键改进策略之一。
香港证券公司CLSA预测，“虽然韩美半导体目前74%的TC键合机销售额来自SK海力士，但到2027年，这一比例将降至40%，客户结构将进一步多元化”，并补充道，“目前看来，韩美半导体很可能将在HBM TCB键合机市场保持较高的市场份额。”
韩国业内人士表示：“韩美半导体目前已将其TCB键合机供货至美光等多个客户，拥有庞大的客户基础，其他厂商要在短期内追赶并不容易。”摩根大通发布的报告也指出，未来至少三年内韩美半导体仍将主导该细分市场。
韩美半导体对此也表现出十足的自信。公司会长郭东元在韩华SemiTech传出与SK海力士签订供货合同后，曾公开表示：“后发厂商的技术虽有一定水准，但韩华SemiTech最终可能也仅拿到少量订单，结果无疾而终。”
韩美半导体的TC键合机、FLTC键合机（无助焊剂型）和混合键合机将在HBM3E 12层的全球生产中发挥主导作用，目前HBM3E 12层正在应用于引领全球人工智能市场的NVIDIA和Broadcom，以及即将推出的HBM4和HBM5。
据报道，韩美半导体在去年5月宣布用于HBM4生产的专用设备“TC Bonder 4”，这是一款针对HBM4特性大幅提升了精度与生产效率的高性能键合设备。韩美半导体会长表示：“新推出的‘TC Bonder 4’是专为HBM4开发的设备，即使在要求极高精度的16层以上堆叠工艺中，也能实现高生产效率和高品质。”
这也是首个针对HBM4推出TCB键合机的设备厂商，尽管SK海力士开始转向多供应商的模式，但在高层数堆叠上，恐怕依旧离不开韩美半导体。
为了让TC Bonder 4能够顺利应对全球存储器企业的HBM4量产计划，韩美半导体已经建立了量产体制，通过此次HBM4专用设备的供应，将在全球AI半导体市场保持领先地位。
据悉，今年7月，韩美半导体已开始生产“TC Bonder 4”设备，计划从今年下半年开始正式供应TC Bonder 4。全球HBM制造商计划从今年下半年开始量产HBM4。三星电子和SK海力士计划在年内实现HBM4的量产，而美光则计划于2026年开始量产。
韩国美半导体表示：“我们已经建立了大规模生产系统，以确保TC Bonder 4能够无缝应对全球存储器企业HBM4量产计划。”
除了与国际头部大厂合作之外，韩美半导体也是不少中国存储芯片及半导体封测厂商的设备供应商。不过随着韩美半导体对华断供传闻，可能会影响其在中国市场的业务，同时倒逼国内HBM生态链加速建立，涵盖TCB设备、COWOS封装、HBM堆叠、芯粒设计、EDA协同等一整套本土化路径。
韩华SemiTech，搅局者入场
与韩美半导体针锋相对的，是同样来自韩国、背靠韩华集团的韩华SemiTech（前身为“韩华精密机械”）。
韩华SemiTech受到高度关注的原因，在于其背后有韩华集团的强力支撑。集团会长金升渊的三子——金东善副社长目前负责集团未来战略，其曾公开表示将继续在该领域投资，以强化韩华SemiTech的竞争力。
尽管市场普遍预计韩美半导体的领先地位至少能维持三年，但韩华SemiTech如何搅动市场格局成为了焦点。
早在2020年，韩华就开始布局HBM相关设备，并成功与SK海力士签下供货合同。2024年，其累计向SK交付12台TCB键合机，总金额达420亿韩元。
而长期为SK海力士供货的韩美半导体对此表示强烈不满，认为韩华设备存在专利侵权及技术泄漏问题，且价格比其原有设备更高，缺乏合理依据。作为报复，韩美将对SK海力士提供的客户服务从免费转为收费，并将设备供货价格上调28%。
SK海力士回应称，每家厂商合同条款根据附加选项不同而定，并非对韩华给予“溢价”。韩华方面也强调其设备的自动化系统与维护便利性表现突出，能够支持8–16层堆叠，完全匹配SK海力士的需求。
据悉，SK海力士给予韩华SemiTech设备高评价的原因，正是其在自动化系统和维护便利性方面的表现。韩华SemiTech方面表示：“此次供货的TCB键合机以‘减少人工操作’为目标，搭载了多种数字化解决方案与自动化系统，并采用了更适合工程师使用的软件。”他们补充道：“设备能够轻松支持8层、12层乃至16层堆叠，最大限度地反映了SK海力士工程师的需求。我们正集中全公司力量，力争扩大今年的供货量。
今年5月，韩华Semitech进行业务重组成立了“先进封装设备开发中心”，以增强其开发下一代半导体设备的能力。该公司计划通过大幅增加相关技术人员配置，将其开发能力扩展到HBM生产的关键设备TC键合机之外，以涵盖混合键合设备等下一代技术。
业界指出，此次重组正值该韩华巩固与SK海力士联盟之际，适逢SK海力士与韩美半导体之间的联盟裂痕日益扩大之时。韩华Semitech与SK海力士的合作关系自去年首次向SK海力士交付TC债券以来一直在加强。得益于SK海力士近年来突飞猛进的行业成就，扩大与SK海力士的合作关系能为韩华带来稳定的供应订单以及行业地位。
值得关注的是，不只是TCB键合机这一类产品，韩国半导体设备厂商正在藉由HBM的热销悄然崛起。
据TheElec对2024年第四季度韩国46家半导体设备企业的业绩分析，营业利润率最高的六家公司分别是：韩美半导体、Techwing、Zeus、DIT与Oros Technology这些厂商中有四家聚焦于后处理设备，深受HBM与先进封装热潮带动。
韩美半导体上文已有介绍，通过长期以来向SK海力士独家供应HBM用TC键合机，构建起强势的技术壁垒，营收飙升。
紧随其后的是Techwing，其核心产品为内存测试处理机，因其HBM测试设备“Cube Prober”而成为业界焦点。为 SK Hynix、Kioxia 以及美光供应内存测试处理器。美光是其最大客户，去年占其收入的 45%。当前，该设备已向三星出货，并正在SK海力士进行质量验证，未来潜力被普遍看好。
Zeus公司专注HBM TSV清洗设备，2024年营收达4908亿韩元，营业利润492亿韩元，利润增长率接近600%。其后段处理设备“Atom”与“Saturn”已被业界广泛采用，并凭借快速交付能力成功打入HBM产业链。此外，Zeus正在联合美国Pulseforge开发基于光子技术的剥离设备，并于Semicon Korea展会上首度公开新一代TBDB设备，展示其持续创新能力。
DIT以激光解决方案见长，2024年营收1167亿韩元，营业利润241亿韩元，其中激光退火设备占59%。激光退火技术的突破不仅验证了DIT的研发能力，也打开了HBM先进制程的大门。据悉，DIT公司与SK海力士自2019年开始联合开发HBM用激光退火技术，并于2023年下半年起正式导入HBM3E量产线，成为其核心工艺之一。
Oros Technology去年营收为614亿韩元，营业利润61亿韩元。虽然体量相对较小，但其焊盘覆盖设备在HBM后段制程中具备不可替代性，目前由其独家供应。去年中，该公司成功进入日本铠侠的供应链，并签下与三星电子价值96亿韩元的合同，客户结构逐步多元化。由于日本半导体设备自给率高、外部准入门槛高，因此Oros能打入Kioxia供应链被视为技术突破的象征。
能看到，上述韩国半导体设备企业均与HBM后处理及先进封装紧密相关，在韩美半导体之外，Techwing、Zeus等企业凭借独门产品和工艺快速突围，这也显示出了韩国设备产业由单一强者向多元格局转变的趋势。
ASMPT：新加坡厂商的技术突围
在先进封装领域，新加坡厂商ASMPT近年来也加快了在HBM设备市场的渗透，凭借在热压键合（TCB）设备领域的技术领先优势，成为HBM市场的重要参与者，尤其在AI算力升级背景下展现出强劲增长潜力。
作为HBM生产的核心设备，ASMPT的TCB设备已深度融入头部厂商的技术迭代进程：2025年第一季度，其向SK海力士交付用于12层HBM3E的量产设备，同时参与美光HBM4下一代键合技术开发，2025年订单可见度已达12个月。
这一突破背后，与SK海力士的供应链策略调整密切相关——长期依赖韩国韩美半导体的SK 海力士，为降低供应链风险、提升竞争力，近年积极推进设备供应商多元化，自去年起已在产线部署约30台ASMPT设备。而ASMPT设备在16层 HBM3E 工艺模拟中的出色表现，更使其在与韩美半导体的竞争中占据优势，为SK海力士的技术过渡提供可靠支撑——2025年1月，SK海力士在“CES 2025”展示的16层HBM3E产品（HBM3E向HBM4过渡的关键版本），便采用了ASMPT设备制造。
随着HBM技术升级至12-16层堆叠，键合设备面临更高要求：需在保证芯粒对准精度±1.5μm以内的同时，将单位时间封装效率（UPH）提升至120UPH以上，这对热控、力控、运动系统提出全面升级需求。对此，ASMPT的TCB设备在适配高堆叠需求的同时，成本显著低于混合键合（HB）技术，形成差异化竞争力。
同时，ASMPT在混合键合领域的突破也在推进：2024年第三季度已向逻辑客户交付首台第二代混合键合工具，2024年第四季度斩获领先HBM IDM大宗订单，预计2025年第一季度完成发货并确认收入，2025年中期还将向HBM客户交付两台混合键合工具（订单已于2024年锁定）。
此外，为应对行业挑战与地缘风险，ASMPT采取“西式化国产”策略：通过本土化研发与生产降低成本，分拆品牌“奥芯明”实现热键合设备国产化，成本竞争力提升30%，专为16层内存和AI芯片服务；2025年奥芯明临港研发中心投产，进一步缩短交付周期，打破欧美垄断。同时，其与全球头部客户深度合作锁定长期订单，即使传统SMT业务短期承压，TCB业务的持续增长与混合键合技术的突破，仍为中长期发展奠定坚实基础。
从市场表现看，ASMPT自港股上市以来，股价呈现“震荡中酝酿转折”的特征：早期受半导体行业周期波动影响，股价阶段性起伏；2024年成为关键转折点，传统SMT业务因需求疲软持续拖累业绩，导致股价多次下探，但AI浪潮推动先进封装需求爆发，TCB订单创纪录增长成为核心支撑，驱动市场对其长期价值重估。
进入2025年，股价延续“分化修复”态势：短期受SMT业务复苏缓慢及部分订单延期扰动，仍面临压力；但中长期逻辑日益清晰——TCB设备在HBM市场的技术壁垒、混合键合的突破进展，以及“奥芯明”产能落地，持续强化投资者对AI驱动增长的预期。
从ASMPT 2025年第一季度业绩公告可以看到，尽管公司整体营收疲软，但高产量制造中的HBM TCB及其TCB客户基础扩展成为公司亮点，公司的主流业务继续受到汽车和工业终端市场需求疲软的影响。
ASMPT在业绩公告中表示，集团的先进封装解决方案继续成为人工智能应用的重大受益者，并在热压缩键合(TCB)工具的带领下表现出强劲表现。集团已完成了向领先存储客户交付批量TCB订单的工作，而这些解决方案主要用于HBM3E 12H的高量产业务。
同时，集团已从多个客户那里获得了更多的TCB订单，其中包括另一家领先的高带宽存储器(HBM)客户，并正专注于从这些HBM参与者那里获得重复订单。这进一步夯实了其在TCB市场的领导地位。对于SMT而言，其系统级封装(“SiP”)解决方案在本季度迎来了季节性强劲的订单。
对于未来，ASMPT持续看好TCB领域增长机会：随着HBM与逻辑芯片向更高精度迁移，TCB采纳率正不断上升。管理层预测，全球TCB市场规模到2027年将达10亿美元，而公司在技术迭代与客户绑定上的先发优势，有望使其在这一赛道中持续领跑，在行业波动中凸显独特投资价值。
库力索法：瞄准 HBM 高层堆叠需求
除了ASMPT外，同在新加坡的K&S（Kulicke&Soffa，库力索法）也加入了这场新的竞争之中。其在半导体领域长期专注于传统封装方式，如金线键合（Wire Bonding），但近年来开始大力拓展先进封装技术市场。
库力索法表示，TC Bonding 是市场上最热门的技术，TC Bonding的TAM（总可用市场）目前约为3亿美金，增长率在20%-25%之间。除了逻辑大芯片，几乎每一步都需要TC Bonding。相比于逻辑芯片（通常为单颗封装），HBM可能涉及 8 层、12 层甚至 16 层 以上的堆叠，因此在 HBM 领域，TC Bonding 的需求量预计会远超逻辑芯片，市场规模也将进一步扩大。
Yole在报告中指出，TCB设备市场份额将从2024年的1.36亿美金增长到2029年的2.7亿美金，年化增长率会达到14.7%。有见及此，库力索法针对终端需求，深耕TCB设备。
据悉，自2014年推出公司的第一代TCB设备APAMA以来，库力索法持续在这个领域投入研发，迭代更新，并最终在2022年推出了名为APTURA的第三代TCB设备，支持无助焊剂（Fluxless）TCB 及铜对铜键合，可满足 HBM8 层、12 层乃至 16 层以上堆叠需求。
其中，Fluxless TCB是其技术亮点，通过甲酸蒸汽去除锡或铜表面氧化物，解决传统助焊剂清洗难题，适配小于45微米的键合间距，且获CE、CEMI S2认证，已有两家客户用于量产。该技术支持多种进料方式与工艺，能应对更大芯片尺寸，未来计划开发支持90×120微米的设备，并推出双头机型提升产能至1000UPH以上。
库力索法认为，HBM对TCB的需求将远超逻辑芯片，市场空间广阔。其与UCLA CHIPS合作，探索chip-to-wafer混合键合替代方案，巩固在先进封装领域的地位，持续受益于HBM技术升级带来的增长机遇。
今年3月，库力索法发布了两项突破性技术：ATPremier MEM PLUS™垂直线焊解决方案与Asterion®-PW超声波针焊系统。这两项创新将重塑存储器与功率半导体封装技术，助力边缘AI、高算力芯片及新能源市场的快速发展。
尤其是HBM，由于美国实施了HBM出口禁令，因此本土HBM突破势在必行，库力索法的设备将有助于加速HBM的研发和产业化，缩小与国际巨头的差距。
同样，面对频繁波动且疲软的市场，Kulicke & Soffa 总裁兼首席执行官Fusen Chen表示：“近期，我们注意到东南亚部分市场订单活动较为谨慎。尽管近期区域市场存在这种动态，但我们仍将继续支持我们的全球客户群，核心市场的利用率数据也呈现积极态势，我们将继续做好充分准备，通过垂直焊线、功率半导体、先进点胶和热压技术转型来加速增长。”
SEMES：三星“自家供应”模式，
替代新川设备成定局
作为HBM三巨头之一，三星电子也悄然完成了TCB设备供应链的“自我革命”。
过去，三星的TCB设备主要采购自子公司SEMES与日本新川，但近年来采购重心逐步向SEMES倾斜，新川产品则被逐步替代。业内分析指出，新川设备采用单电机驱动双焊头的设计，技术规格已显落后，难以满足8层以上HBM的堆叠需求。尽管双方曾长期保持紧密合作，但当前三星的设备供应结构已形成以SEMES为核心的格局。
目前，SEMES设备已应用于三星包括HBM2E在内的多条产线，支撑其4层HBM产品的稳定供货。尽管SEMES 2023年半导体设备营收有所下滑，但业内预期，若其成为三星TCB设备的独家供应商，相关业务有望迎来强势反弹。
此次供应链调整，既源于新川设备性能逐步落后于竞品，也与三星通过SEMES推进TCB键合机自研内化、强化盈利能力的战略有关。随着SEMES设备技术水平提升，三星转向“自家供应”模式，这也意味着，曾向SK海力士、美光供货的韩美半导体，其设备被三星引入的可能性进一步降低——韩美与SEMES曾有专利诉讼纠纷，若同时供货可能引发技术泄露风险，因此韩美预计将继续聚焦服务美光与SK海力士。
据半导体行业人士透露，三星已全面停用新川设备：“过去三星在4层HBM堆叠工艺中使用新川TCB键合机，如今这部分也完全由SEMES接手。” 这一变化从新川财报中亦可见端倪——其来自三星的销售数据已消失，被业内视作双方合作实质终止的信号。
尽管2024年SEMES的具体财报未公开，但从行业数据也能看到其已进入高增长通道。摩根士丹利指出，韩国本土设备商2024年营收同比增长超600%。这与三星HBM产能扩张直接相关——三星计划2025年下半年推出HBM4样品，并大幅拉升HBM3E出货，其TCB设备需求主要由SEMES承接。
2025年第一季度，韩国半导体设备市场销售额同比增长48%至76.9亿美元，SEMES作为核心供应商深度受益。尽管具体营收数据未披露，但三星HBM3E量产及HBM4研发的设备采购，预计推动SEMES半导体设备收入占比回升，HBM市场的爆发成为其业绩反转的核心驱动力。
HBM的爆发式增长，正重塑半导体设备行业的竞争格局。从DISCO凭借晶圆减薄、切割技术创下出货新高，到BESI以混合键合设备卡位HBM4机遇，再到韩美半导体、ASMPT等在TCB设备领域的激烈角逐，后道设备厂商成为这场技术浪潮的核心受益者。
这些企业的共同特征在于，通过技术迭代响应HBM对高精度、高层堆叠的需求——无论是混合键合的铜对铜连接，还是TCB设备的无助焊剂工艺，均指向更高效率与更低功耗的封装目标。同时，头部存储厂商供应链的多元化（如SK海力士扩围供应商）与自研内化（如三星倚重SEMES），进一步激活了设备市场的创新活力。
随着HBM向16层以上堆叠演进，设备技术壁垒将持续提升，而抓住这一机遇的厂商，不仅正在改写行业格局，更将为半导体产业链的高性能化升级提供关键支撑。
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